在横琴粤澳深度合作区近日成功举办的中国微电子产业促进大会上，第十九届“中国芯”优秀产品征集结果揭晓，英诺赛科凭借其在氮化镓技术领域的卓越创新，再次斩获殊荣。此次，英诺赛科自研的40V车规级增强型氮化镓器件（型号：INN040FQ045A-Q）荣获优秀技术创新产品奖，这已是英诺赛科连续四年获得该奖项。
本次“中国芯”奖项征集活动吸引了众多芯片企业的积极参与，共收到了来自280家企业的364款优秀芯片产品。英诺赛科作为氮化镓行业的领军企业，凭借其深厚的技术积累和不断创新的能力，再次赢得了业界的高度认可。
英诺赛科自研的INN040FQ045A-Q器件不仅成功通过了AEC-Q101车规级认证，更在性能上实现了显著突破。该器件体积小巧、损耗低、频率高且功率大，在高频DC-DC转换器、负载点电源、包络追踪、USB充电器及移动电源等多个领域展现出了广泛的应用潜力。与市面上的同类产品相比，其尺寸仅为主流MOSFET DFN5*6封装的40%，这一设计极大地减小了器件占用的板面积，满足了车载充电通讯模块如UMM（USB Multi-Connect Module）和UCM（USB Charging Module）对大功率充电和高频通讯的需求，为新能源汽车的智能化和便捷化发展提供了有力的技术支持。
“中国芯”活动作为集成电路领域极具权威性和影响力的盛会，一直被视为集成电路产品和技术发展的风向标。英诺赛科连续多年获得优秀技术创新产品奖，不仅是对其在技术创新方面深厚实力的肯定，也是市场和行业对其持续研发投入和创新精神的认可。
英诺赛科在氮化镓领域的卓越表现，不仅体现在其产品的技术创新上，更在于其对氮化镓技术应用的不断拓展和深化。通过不断的技术突破和应用创新，英诺赛科为集成电路产业的发展注入了新的活力，也为新能源汽车等行业的智能化和便捷化发展提供了强有力的支持。
