在横琴粤澳深度合作区近期成功举办的中国微电子产业促进大会上，第十九届“中国芯”优秀产品征集结果的揭晓成为全场瞩目的焦点。在这场汇聚了行业精英的盛会中，英诺赛科凭借其在氮化镓领域的卓越成就，再次荣获优秀技术创新产品奖。这也是英诺赛科连续四年在这一权威奖项上斩获佳绩，彰显了其在技术创新方面的深厚底蕴。
本次“中国芯”奖项征集活动竞争激烈，共有280家芯片企业积极参与，提交了364款涵盖集成电路各领域的优秀产品。英诺赛科凭借自研的40V车规级增强型氮化镓器件（INN040FQ045A-Q），在众多参赛产品中脱颖而出。这款器件不仅成功通过了AEC-Q101车规级认证，更以其突出的性能优势，赢得了评委和业界的高度评价。
INN040FQ045A-Q器件以其小巧的体积、低损耗特性以及高频高功率表现，在多个领域展现出巨大的应用潜力。与市场上同类产品相比，该器件的体积仅为传统MOSFET DFN5*6封装的40%，这一设计极大地节省了电路板空间，为车载充电通讯模块如UMM和UCM等提供了高效、可靠的解决方案。同时，它还满足了新能源汽车对大功率充电和高频通讯的需求，为汽车的智能化、便捷化发展注入了新的动力。
作为中国集成电路领域最具影响力和权威性的盛会之一，“中国芯”活动一直被视为行业发展的风向标。英诺赛科连续多年在“中国芯”奖项中获奖，不仅是对其技术创新实力的认可，也是行业及市场对英诺赛科持续研发投入和创新精神的肯定。
英诺赛科在氮化镓领域的深厚积累和不断创新的技术实力，使其在行业内独树一帜。未来，英诺赛科将继续深耕氮化镓技术，推动其在更多领域的应用拓展，为集成电路产业的繁荣发展贡献自己的力量。
