近日，美国商务部与全球知名汽车供应商博世达成了一项重要合作。根据美国《芯片与科学法案》，博世将获得高达2.25亿美元的直接补贴，用于其在加州罗斯维尔工厂的重大改造项目。
此次改造的核心是生产碳化硅（SiC）功率半导体，这一技术对提升电动汽车的驾驶和充电效率至关重要。博世计划投资19亿美元，将其罗斯维尔工厂转变为SiC半导体生产基地。改造完成后，该工厂不仅将创造多达1000个建筑工作岗位，还将带来700个制造、工程和研发岗位。
作为全球一级汽车供应商的佼佼者，博世在汽车半导体领域拥有显著的竞争优势。特别是在SiC半导体方面，博世是沟槽栅极SiC半导体的领先供应商。此次在罗斯维尔生产的SiC器件，预计将在满负荷生产后占据博世SiC半导体总产能的大部分，并有望占美国SiC器件制造产能的40%以上。
博世北美及博世美洲区总裁保罗·托马斯对此表示：“在罗斯维尔的投资将使博世能够在当地生产碳化硅半导体，从而支持美国消费者走向电气化。在美国生产这一关键技术，进一步彰显了我们在移动市场的领先地位。”
据悉，博世计划从2026年开始在罗斯维尔工厂生产首批200毫米晶圆芯片。该工厂将涵盖前端设备制造、后端测试、分类和切割等工艺流程。为了提升员工福利，博世还承诺为工厂员工和建筑工人提供价格合理、质量上乘的托儿服务，并推出了一款新的导航工具，帮助他们找到高质量的托儿服务。
博世还计划申请美国财政部的先进制造业投资抵免（CHIPS ITC），该抵免额占合格资本支出的25%。除了2.25亿美元的直接补贴外，根据与美国商务部签署的初步条款备忘录（PMT），博世还将获得约3.5亿美元的拟议贷款，这是《芯片与科学法案》750亿美元贷款授权的一部分。
这一合作不仅将提升博世在SiC半导体领域的竞争力，还将为美国半导体产业注入新的活力。随着电动汽车市场的不断扩大，SiC半导体的需求将持续增长，博世在罗斯维尔的投资无疑将为其未来的发展奠定坚实基础。
