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国产芯片技术真实水平如何?ASML的10年落后论遭质疑

   时间:2024-12-29 12:13:51 来源:ITBEAR编辑:快讯团队 发表评论无障碍通道

近期,全球光刻机领域的领军企业ASML的首席执行官克里斯托弗·富凯,在一次公开场合谈及了中国半导体行业的发展现状。他指出,尽管华为和中芯国际近年来在半导体技术上取得了显著突破,但与Intel、台积电和三星等国际巨头相比,依然存在10至15年的技术差距。

富凯特别提到,ASML认为,在缺乏先进的极紫外(EUV)光刻机的情况下,即使华为和中芯国际能够采用顶级的深紫外(DUV)光刻设备,其在芯片制造工艺上的技术水平也难以与台积电等领先厂商相抗衡。这一观点,无疑给中国半导体行业的技术追赶之路,增添了几分挑战的色彩。

然而,值得注意的是,华为在芯片研发领域取得的成就,却在一定程度上打破了这一“技术差距”的论断。据悉,华为的麒麟9010芯片,在性能上已经达到了高通骁龙888甚至更高水平。这一事实,让人不禁对中国半导体行业的实际技术实力产生了新的思考。

如果按照ASML的说法,华为和中芯国际的技术落后国际巨头10至15年,那么我国在芯片制造工艺上展现出的能力,就显得尤为出色。因为,用看似落后的10年工艺,却能制造出性能仅落后5年的芯片,这无疑是对我国芯片技术的一种高度肯定。从某种程度上说,这种表现甚至超出了ASML对中国半导体行业技术水平的预期。

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