近期，长鑫存储在内存领域的一系列动作引起了业界的广泛关注。继DDR5内存低调面世后，公司又在第二代HBM2高带宽内存技术上取得了重大进展。
据知情人士透露，长鑫存储在DDR4内存的初期生产阶段，良品率曾徘徊在20%-30%之间，但经过不断的技术改进和工艺优化，良品率已提升至90%的成熟水平。这一成功经验为DDR5内存的研发和生产奠定了坚实基础。
与DDR4相比，长鑫DDR5内存的良品率从一开始就表现不俗，达到了40%，目前更是稳定在80%左右。公司仍在持续优化生产工艺，预计在未来一年内，良品率有望进一步提升至90%左右。这一进步不仅提升了产品的市场竞争力，也彰显了长鑫存储在内存技术领域的深厚实力。
长鑫存储在合肥拥有两座先进的内存工厂。其中，Fab 1工厂主要负责DDR4内存的生产，采用19nm工艺，月产能约为10万片晶圆。而Fab 2工厂则专注于DDR5内存的生产，采用更先进的17nm工艺，目前月产能已达5万片晶圆，并仍在持续提升中。据预测，到明年，Fab 2的月产能有望实现翻番。然而，面对三星、SK海力士等竞争对手已升级至12nm工艺的DDR5内存，长鑫存储仍有较大的工艺提升空间。
除了DDR5内存外，长鑫存储还在积极推进HBM高带宽内存的研发和生产。一方面，公司不断提升一代HBM内存的产能；另一方面，二代HBM2内存已取得重大技术突破，目前正在给客户送样测试，预计明年年中可实现小规模量产。尽管国际市场上已有三大原厂量产HBM3、HBM3E，并即将推出HBM4，但对于长鑫存储而言，成功研发并量产HBM2仍具有里程碑式的意义。这不仅有助于提升公司在内存技术领域的竞争力，更对国产化AI硬件的发展至关重要。例如，华为昇腾910系列加速器就高度依赖HBM2内存。
为了推进HBM2内存的研发和生产，长鑫存储从今年第三季度开始积极采购先进的生产设备，并引入更先进的封装技术，如TSV、KGSD等。这些技术的引入和应用，将进一步提升HBM2内存的性能和可靠性，为公司赢得更多市场份额。
