英诺赛科科技股份有限公司在香港联交所主板成功上市，标志着这家氮化镓功率半导体领域的领军企业迈入崭新发展阶段。此次全球发售4536.4万股H股，每股发行价格定为30.86港元，上市初期股价表现强劲，午盘前一度攀升至每股34港元。
英诺赛科（苏州）科技股份有限公司，作为氮化镓技术的先锋，正引领着全球功率半导体行业的变革。氮化镓，作为第三代半导体材料的杰出代表，凭借其在电场击穿强度、热导率、电子饱和速率及抗辐射能力等方面的卓越性能，相较于传统硅基器件，传导电子效率可高出千倍，展现出巨大的应用潜力。
随着新能源汽车、光伏及储能等领域的蓬勃发展，对半导体材料的转化效率、成本控制等提出了更高要求。氮化镓因其高效能与优异性能，成为业界关注的焦点。英诺赛科作为全球首家实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产，并唯一能提供全电压谱系硅基氮化镓半导体产品的公司，其市场地位不言而喻。
翻开英诺赛科的招股说明书，一系列亮眼的数据和成就跃然纸上。包括全球半导体巨头及知名机构在内的基石投资人阵容、近200%的营收复合年增长率、未来四年超500亿的行业市场规模预测，以及氮化镓功率半导体产能、出货量及收入的多个领先记录，均彰显了这家企业的强劲发展势头和广阔前景。
英诺赛科近年来不仅在营收上实现了快速增长，其海外市场的拓展同样成效显著。2021年至2023年间，公司营业收入从0.68亿元增长至5.93亿元，复合年增长率高达194.8%。而2024年上半年，营收已接近4亿元，持续保持强劲增长态势。
此次上市，英诺赛科计划将募集资金主要用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能、升级生产设备及招聘生产人员，以提升氮化镓产品的市场渗透率；同时，还将加大研发及扩大产品组合，以及扩展全球分销网络。这一系列举措，无疑将进一步巩固英诺赛科在全球氮化镓功率半导体市场的领先地位。
尽管在往绩记录期内，英诺赛科面临一定程度的净亏损，但这主要归因于股权融资产生的非经营性负债及股权激励计划的开支。随着公司成功上市，股权融资对净利润的亏损影响将逐渐消除，而公司在技术研发和市场拓展上的持续投入，也将为其带来更加稳健的财务表现。
英诺赛科自成立以来，始终坚持技术创新，已在全球范围内建立了领先的研发中心和强大的研发团队。截至2024年12月10日，公司拥有406项专利及387项专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造等关键领域。公司还与全球多家知名企业和机构建立了紧密的合作关系，共同推动氮化镓技术的研发和应用。
在上市前夕，英诺赛科更是吸引了包括宁德时代创始人曾毓群在内的众多知名投资者和机构的青睐。意法半导体、江苏国企混改基金、苏州高端装备及东方创联等基石投资者的加入，不仅为公司注入了强劲的发展动力，也彰显了业界对英诺赛科及氮化镓未来市场的信心。
