在科技创新的璀璨星河中，中微半导体设备（上海）股份有限公司及其子公司南昌中微半导体设备有限公司再次闪耀光芒。近日，他们共同持有的发明专利“化学气相沉积装置及其清洁方法”（专利号：ZL201510218357.1）在第二十五届中国专利奖评选中荣获银奖，这一荣誉无疑是对中微公司在技术创新领域不懈努力的肯定。
中国专利奖，作为我国专利领域的至高荣誉，由国家知识产权局与世界知识产权组织携手颁发，旨在表彰那些为技术创新和经济社会发展作出杰出贡献的专利权人与发明人。中微公司此次获奖，是其技术创新与知识产权保护实力的又一力证。截至目前，中微公司已累计荣获2项中国专利金奖、1项银奖及3项优秀奖，彰显了其在科技创新领域的深厚底蕴。
本次获奖的发明专利，是中微公司MOCVD设备产品的核心技术之一。MOCVD设备，作为宽禁带半导体微观器件制造的关键设备，采用单晶外延生长技术，广泛应用于LED芯片、功率器件及第三代半导体器件的生产，市场前景广阔。中微公司的MOCVD设备，凭借其卓越的性能和品质，在全球氮化镓基LED生产用MOCVD设备市场中独占鳌头，市场占有率超过70%，成为业界的佼佼者。
该发明专利从反应腔内流体动力学和气流分布的独特视角出发，巧妙设计了一种全新的反应气体排气与反应副产物沉积物收集、存储分离机制，有效避免了固体沉积物对排气口的堵塞问题，成功解决了MOCVD设备领域长期存在的排气不均匀、工艺良率低、维护频繁及生产效率低等难题。这一突破性技术，不仅为客户提供了更加可靠、高效的生产解决方案，还推动了MOCVD设备技术的不断进步，加速了LED照明与显示产业的发展，为国家节能减排、降低能耗作出了重要贡献。
中微公司董事长兼总经理尹志尧博士对此表示：“中微公司连续获得中国专利奖，充分展示了我们在研发创新和知识产权管理方面的领先地位。创新是中微公司发展的核心动力。我们将继续坚持技术创新、产品差异化及知识产权保护的产品开发原则，加大研发投入，不断突破技术瓶颈，为全球客户提供更具创新性和卓越品质的产品与服务，为半导体产业的发展贡献更大力量。”
中微半导体设备（上海）股份有限公司，作为全球集成电路和LED芯片制造商的领先设备供应商，致力于提供先进的加工设备和工艺技术解决方案。其开发的CCP高能等离子体和ICP低能等离子体刻蚀设备，已覆盖大多数刻蚀应用，并广泛应用于国内外一线客户，涵盖从65纳米到5纳米及更先进工艺的众多领域。近年来，中微公司还着重开发多种导体和半导体化学薄膜设备，如MOCVD、LPCVD、ALD和EPI设备，取得了显著进展。其中，用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备，早已在客户生产线上量产，并在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场中占据领先地位。
中微公司还在光学和电子束量检测设备领域进行布局，并开发多种泛半导体微观加工设备。这些设备都是制造各种微观器件的关键，可加工和检测微米级和纳米级的器件，是现代数码产业的基础，正深刻改变着人类的生产和生活方式。在美国TechInsights（原VLSI Research）近五年的全球半导体设备客户满意度调查中，中微公司多次获得总评分前列，薄膜设备更是多次被评为第一，充分证明了其强大的市场竞争力和技术实力。
