全球半导体巨头英飞凌近期宣布，在碳化硅（SiC）技术领域取得了重要突破，成功推出了首批采用8英寸晶圆工艺制造的SiC产品。这些产品将在奥地利的菲拉赫工厂生产，专为可再生能源、火车及电动汽车等高压应用提供先进的SiC功率技术。
这一成果标志着英飞凌在SiC技术的商业化应用上迈出了关键步伐，有望大幅提升相关领域的能源效率和性能。特别是在电动汽车领域，英飞凌正不断拓展其合作网络，以满足日益增长的市场需求。
与此同时，英飞凌的生产布局也迎来了重大进展。位于马来西亚居林的制造基地正顺利实现从150毫米晶圆到200毫米晶圆的转换。新建成的Module 3厂房已准备就绪，将根据市场需求启动大规模生产。该厂房的落成与运作，是英飞凌在SiC领域战略布局的重要一环。
回顾2022年2月，英飞凌宣布投资超过20亿欧元在居林工厂建造第三厂区（Module 3厂）。如今，该厂区已正式投入运营，并计划在2025年开始量产SiC产品。初期将以6英寸晶圆生产为主，逐步过渡到2027年的8英寸晶圆生产。英飞凌还透露，已获得了约50亿欧元的新设计订单及来自新老客户的约10亿欧元预付款，用于厂房的持续扩建，部分订单来自6家知名汽车OEM厂商。
英飞凌强调，居林工厂与菲拉赫生产基地之间的协同发展，形成了一个专注于宽带隙（WBG）技术的“虚拟协同工厂”。这一创新模式使得两个生产基地能够共享技术和工艺，实现快速量产和平稳高效的运营。这种协同作用不仅提升了产能，还促进了技术创新和产业升级。
英飞凌预计，通过菲拉赫与居林工厂的200毫米SiC改造项目，SiC业务的年营收有望达到约70亿欧元。公司还设定了到2030年占据全球30% SiC市场份额的宏伟目标。
在技术研发方面，英飞凌同样表现出色。2024年5月，公司推出了新一代400V碳化硅MOSFET系列，这是第二代（G2）CoolSiC™技术的升级版。与市场上的650V SiC和Si MOSFET相比，该系列具有更低的传导和开关损耗。在AI服务器电源装置中，采用多级PFC技术，功率密度高达100W/in³以上，效率更是达到了99.5%，与650V SiC MOSFET解决方案相比，效率提升了0.3个百分点。这一技术突破为数据中心等领域的能源高效利用提供了有力保障。
国际汽车供应商Forvia Hella已选择英飞凌的1200V汽车级SiC MOSFET作为其下一代800V DC/DC充电解决方案。英飞凌的CoolSiC MOSFET采用Q-DPAK封装，专为800V汽车架构中的车载充电器和DCDC应用而设计。此次合作不仅有助于Forvia Hella打造更高效的充电解决方案，也进一步巩固了英飞凌在汽车SiC应用市场的领先地位。
