在芯片技术的演进蓝图中，硅光子（SiPh）技术正日益成为业界瞩目的焦点。国内知名IC设计企业联发科，近期在硅光子领域的布局动作频频，引发广泛关注。据相关媒体报道，联发科在硅光子技术的发展路径上，选择了优先推进光学共同封装（CPO）的异质集成技术作为战略核心。
联发科此番决策的背后，是对市场需求的深刻洞察。当前，尽管能够提供光子集成电路（PIC）的厂商众多，但能够为客户提供一站式集成解决方案的却寥寥无几。客户更青睐于那些能够将所有组件无缝集成的服务商，这成为了联发科制定战略的重要依据。联发科指出，单纯提供PIC零部件的模式，在硅光子技术尚未全面爆发的阶段，将面临激烈的竞争，且难以精准把握客户的整体架构需求，从而限制了企业的长远发展。
尤为值得注意的是，部分竞争对手已经推出了技术领先的大型解决方案，即主芯片周边全面采用硅光子进行信号传输。然而，联发科认为，在当前的市场环境下，客户更倾向于采用电子信号与光信号相结合的半混合产品，因为并非所有的数据传输场景都需要长距离的光通信。
基于上述市场洞察，联发科决定以光学共同封装的异质集成技术为主攻方向，并在散热技术和材料领域持续深耕。联发科强调，虽然PIC供应商对其至关重要，但在硅光子技术全面成熟并实现大规模商业化之前，单纯依赖零部件供应的企业将面临巨大的生存压力。因此，联发科也在考虑自主研发PIC技术，以降低供应链风险。
在探讨SerDes（串行器/解串行器）与硅光子技术的关系时，业内专家指出，不同的速度需求往往决定了技术的选择。最初，铜线为主的SerDes技术被认为其速度上限为112G，但随后在铜线长度减半的情况下，成功突破了这一限制，达到了224G的传输速度。这一突破也延缓了硅光子技术的进一步商业化进程。目前，尽管448G的传输速度尚未实现，但市场上对336G传输速度的需求已经开始显现，这再次推迟了硅光子技术的广泛应用。
展望未来，SerDes与硅光子技术将呈现出共存的模式，而非此消彼长的关系。当铜线传输达到其物理极限时，硅光子技术将接过接力棒，满足市场对更高速度传输规格的需求。联发科通过精准把握市场趋势和技术方向，站在了战略的高地上，为未来的全面发展奠定了坚实的基础。
