近日，全球领先的半导体制造设备供应商ASML推出的Twinscan EXE:5000 EUV光刻机，凭借其High-NA（高孔径）技术，成为了当前半导体制造领域中最耀眼的明星。据悉，Intel已率先引入并部署了两台此型号的光刻机于其俄勒冈州的Fab D1晶圆厂内，目前正处于紧张的测试与研发阶段。
Intel资深首席工程师Steve Carson透露，尽管这两台光刻机尚处于测试阶段，但它们已成功生产出了3万块晶圆。这一数字虽不算庞大，但足以彰显Intel对新技术的重视与投入。Steve Carson还进一步指出，与上一代光刻机相比，新款EUV光刻机在效率上实现了显著提升，将原本需要3次的曝光次数减少至仅需1次，处理步骤也从40多个大幅缩减至不足10个，从而极大地节省了生产成本与时间。
据Intel透露，新款EUV光刻机的可靠性相较于上一代提升了约两倍，尽管具体数据尚未公开。而在性能方面，ASML EXE:5000光刻机单次曝光的分辨率可达8nm，相较于前代Low-NA光刻机的13.5nm，提升幅度高达40%，同时晶体管密度也实现了2.9倍的增长。值得注意的是，虽然Low-NA光刻机同样能够达到8nm的分辨率，但需要两次曝光，无论在时间、成本还是良品率方面，都显得不够经济高效。
在满负荷生产状态下，ASML EXE:5000光刻机每小时可生产400-500块晶圆，而目前其生产速率仅为200块，未来效率有望实现100%-150%的提升。这一提升对于半导体制造业而言，无疑是一个巨大的福音。
Intel计划利用这款High-NA EUV光刻机生产14A工艺产品，即1.4nm级别的芯片。尽管具体的时间表和产品尚未确定，但有望在2026年左右实现量产，并可能应用于未来的Nova Lake、Razer Lake等系列产品中。这一举措无疑将进一步巩固Intel在半导体制造领域的领先地位。
与此同时，Intel的18A工艺产品，即1.8nm级别的芯片，也将在今年下半年实现量产。这一工艺仍将使用现有的Low-NA EUV光刻机进行生产，对应的产品包括代号为Panther Lake的下一代酷睿处理器以及代号为Clearwater Forest的下一代至强处理器。目前，这两款产品均已通过全功能测试，并开展了客户测试工作。
