SK海力士近期在内存技术领域取得了显著进展，正全力推进新一代低功耗内存LPDDR5M的研发。据悉，该内存的数据传输速率与现有的LPDDR5T持平，均高达9.6Gbps，但在能效方面实现了大幅提升。
具体而言，LPDDR5M的工作电压从原先的1.01-1.12V降低至0.98V，这一改进使得能效提高了8%。业内人士指出，这一技术突破有望广泛应用于配备设备端AI功能的智能手机中，帮助这些设备在执行密集型操作时减少电量消耗，从而更好地满足设备制造商对高性能与低功耗的双重需求。预计SK海力士将在今年内推出LPDDR5M产品。
与此同时，SK海力士在高带宽内存（HBM）领域同样取得了重要成果。目前，公司已进入12层堆叠HBM4的试产阶段，且良品率从去年底的60%提升至70%。这一进展主要得益于SK海力士采用的1βnm（第五代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，该工艺在性能和稳定性方面均表现出色。
这一先进工艺还将应用于HBM3E产品的生产中。根据计划，SK海力士将于2025年6月向英伟达提供HBM4样品，以支持其Rubin架构产品的需求。公司预计在今年下半年推出首批12层堆叠的HBM4产品，并将在2025年第三季度全面进入供应阶段。这一系列的举措无疑将进一步巩固SK海力士在高端内存市场的领先地位。
