在电子束检测技术的浩瀚领域中，东方晶源以其深厚的研发实力，成功在国产替代的道路上树立了新的里程碑。其电子束缺陷检测设备EBI与关键尺寸量测设备CD-SEM，不仅打破了国外技术的垄断，更赢得了市场的广泛赞誉。
步入2023年，东方晶源再次发力，推出了DR-SEM r600。这款设备凭借3通道电子成像技术与创新的设备平台，在客户端的量产验证中表现出色，为后续的技术迭代奠定了坚实的基础。经过两年的精心研发，DR-SEM r655应运而生，它搭载了更为先进的高性能电子枪、光学检测模组以及全面升级的传片系统和算法系统，成功攻克了一系列技术难关，完美适配国内先进制程产线的需求。
DR-SEM r655在电子束检测成像方面实现了重大突破。其5通道探测器覆盖了更广泛的检测需求，全方位地表征缺陷。特别是4个侧向探测器，支持全角度形貌扫描，显著提升了缺陷的立体成像效果，使得工程师能够更精准地判定缺陷类型与成因。对于浅刮伤等微小缺陷，复检成功率更是大幅提升。同时，顶端探测器增强了背散射电子信号的接收能力，精准捕捉材料衬度差异，满足了先进制程在多种应用场景下的需求。
在高深宽比工艺兼容性方面，DR-SEM r655配合高加速电场设计，完美适配高深宽比结构的检测，其性能与国际成熟机型不相上下。而在光学检测方面，r655通过光路优化和自研的深紫外光源系统，实现了灵敏度的极限突破，光学检测灵敏度提升至20nm，为无图形晶圆缺陷的复检提供了强有力的支持。
在效能方面，DR-SEM r655同样表现出色。通过平台级的全面升级，r655优化了晶圆吞吐效率。传输与运动控制的优化，缩短了晶圆传输时间，配合新一代电子光学系统，加速了缺陷的抓取速度，处理速度已经接近国际一线设备的水平。模块化扩展设计使得新平台具备灵活的可拓展性，支持多个选配模组和升级需求，完美兼容先进制程的多样化检测需求，确保了设备的长期技术竞争力。
东方晶源以“高性能优化（HPO）”为核心理念，前瞻性地将DR-SEM与GDS-Design系统进行了整合。通过智能算法的应用，提升了缺陷的抓取率，推动了检测流程的自动化。这一举措不仅展现了东方晶源在自主创新方面的实力，更为半导体产业链的自主可控提供了坚实的支撑。
东方晶源DR-SEM系列产品的持续创新与发展，不仅回应了市场的需求，更在精度、效率与智能化领域取得了显著的进步。r655的推出，标志着国产电子束检测设备已经迈入了新的发展阶段，为我国半导体先进制程的发展注入了强大的动力。
