近期，SK海力士在DRAM芯片技术领域实现了重大飞跃，其1cnm工艺的DRAM芯片良品率显著增长，从去年下半年的60%跃升至当前的80%-90%，这一水平已跻身行业前列。
这一技术革新恰好迎合了AI技术蓬勃发展所带来的高性能存储需求的激增。SK海力士有望借此在消费级市场和数据中心市场构建显著的技术优势，对三星在DRAM领域的霸主地位构成有力挑战。
采用1cnm工艺精心打造的DDR5 DRAM芯片，在性能上实现了显著提升。其运行速率高达8Gbps，相比前代产品提升了11%。同时，能效也提高了9%以上。通过一系列设计技术的创新，生产效率更是提升了超过30%。
SK海力士在提升芯片性能的同时，也兼顾了成本控制。通过引入新型材料和优化EUV工艺，该公司成功保持了成本竞争力。据估算，数据中心采用这种新型芯片后，电力成本有望节省30%以上。
尽管目前具体的上市时间尚未明确，但这一技术突破无疑为下一代高性能存储解决方案的发展奠定了坚实的基础。随着良品率的不断攀升和产能的逐步扩大，1cnm DRAM芯片有望彻底改变存储市场的格局，为AI时代的数据处理需求提供更加坚实的支持。
