近期，业内有消息称，三星电子计划于2025年4月正式终止其1z制程8Gb LPDDR4存储器的生产。据称，这一决定背后，是三星电子将国内手机LPDDR4存储芯片订单转移至本土工厂的策略调整，旨在更加聚焦于LPDDR5及以上级别的高端产品市场。
面对这一传闻，三星电子半导体部门在4月22日中午给出了官方回应，表示不对业界传言进行评论，并强调生产工作正在有序进行。这一表态，无疑为市场传言增添了几分扑朔迷离的色彩。
值得注意的是，近年来全球DRAM和NAND闪存市场经历了显著的增长。据CFM闪存市场数据显示，2024年，得益于AI服务器需求的强劲推动，全球DRAM和NAND闪存销售收入达到了创纪录的1670亿美元，同比大幅增长85.53%。然而，这一增长势头在第四季度有所放缓，全球NAND闪存市场规模减少了8.5%，降至174.1亿美元。展望2025年，全球存储市场预计仅能实现2%的微幅增长。
在DRAM市场方面，2024年市场规模达到了970亿美元，容量更是攀升至2500亿Gb。其中，HBM（高带宽存储器）热潮成为了市场的一大亮点。CFM闪存市场预计，到2025年，随着三星、美光、SK海力士等公司的HBM4产品量产落地，HBM在DRAM产业中的占比将接近30%，市场规模将达到2880亿Gb当量。特别是在服务器内存消耗方面，HBM的应用正在持续增长。
从三星电子的财报来看，2024年该公司实现了显著的增长。全年实现收入300.9万亿韩元（约合1.52万亿元人民币），同比增长16%；归母净利润更是飙升至33.6万亿韩元（约合1692.43亿元人民币），同比增长高达131%。其中，内存业务成为了三星业绩增长的主要引擎，销售额达到84.5万亿韩元，同比增长91%，HBM及DDR5产品的贡献尤为突出。
目前，三星电子正积极调整其产品线，瞄准中高端DRAM存储和NAND闪存芯片市场。据公开报道，2025年，三星将大幅提升HBM3E的产能至三倍，并将QLC SSD的市场占比目标设定为30%，相较于2024年的15%有了大幅提升。同时，公司计划减少超过20%的传统DRAM产能，以更好地适应市场需求的变化，转向生产LPDDR5x及HBM等高端产品。
三星在HBM4产品的研发上也取得了显著进展。今年1月，HBM4内存已经准备采用4nm工艺进行试产。待完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星将向市场提供HBM4样品进行验证。三星电子表示，这一强劲的市场表现得益于对存储芯片的强劲需求，特别是用于AI服务器和固态硬盘（SSD）的存储芯片。
里昂证券（CLSA）的分析认为，数据中心和AI开发需求推动了内存芯片平均价格的上涨，较上一季度上涨了15%。这一趋势帮助三星最大的业务部门扭转了上年同期的亏损局面。美银预计，三星2025年的HBM3e销售额将达到24亿美元，占HBM总销售额的34%。
