在全球芯片制造领域，ASML公司凭借其独有的EUV光刻机技术，占据了至关重要的地位。EUV光刻机，作为进入7纳米及以下先进制程不可或缺的关键设备，让ASML在某种程度上成为了全球芯片制造企业的技术瓶颈。任何希望涉足7纳米以下工艺的企业，都不得不向ASML寻求合作。
然而，ASML在销售EUV光刻机时并非完全自主决策，而是受到美国的限制。美国出于种种考虑，禁止ASML向中国出售EUV光刻机，这无疑给中国的芯片制造业带来了巨大挑战。
面对这一困境，中国选择了自力更生，致力于自主研发EUV光刻机。尽管浸润式DUV光刻机在一定程度上可以作为替代方案，但由于其多次曝光导致的低良率和高成本，难以满足大规模量产的需求。因此，自主研发EUV光刻机成为了中国芯片制造业的迫切需求。
EUV光刻机的核心主要包括三大系统：光源系统、物镜系统和工作台。其中，光源系统是最为关键的部分，它要求能够稳定、高效地产生13.5纳米的极紫外线。ASML采用的方法是将高功率二氧化碳激光脉冲照射在锡滴液靶材上，激发出高功率的13.5纳米等离子体作为光源。然而，这种方法的转换效率极低，仅有3%左右，使得EUV光刻机成为耗电大户。
近日，中国在EUV光源系统的研发上取得了重大突破。上海光机所的林楠团队宣布，他们成功突破了极紫外EUV光源平台技术，为自主研发EUV光刻机迈出了坚实的一步。林楠团队采用了一种创新的固体激光驱动技术，利用1微米固体激光激发锡等离子体，同样能够产生13.5纳米的极紫外线。这种方法的转换效率可能接近6%，远高于ASML的二氧化碳激光脉冲方法，几乎是其两倍。
林楠的背景也令人瞩目。他曾在ASML担任研发科学家和研发部光源技术负责人，拥有丰富的行业经验和技术积累。在加入ASML之前，他还师从2023年诺贝尔物理学奖得主安妮·吕利耶。这样一位兼具经验和技术的顶尖科学家回国效力，无疑为中国自主研发EUV光刻机注入了强大的动力。
林楠团队的研究成果已经发表在《中国激光》2025年第6期杂志上，引起了业界的广泛关注。然而，ASML的首席执行官克里斯托夫·富凯对此表示，尽管中国可能在EUV光源方面取得了一些进展，但制造一台完整的EUV光刻机远不止于此。他认为，中国要制造出一台EUV光刻机，还需要很长的时间。
尽管面临诸多挑战，但中国芯片制造业在自主研发EUV光刻机的道路上已经取得了显著的进展。随着对核心系统的逐一突破，中国离实现EUV光刻机的自主研发已经越来越近。
