台积电高层张晓强近期透露，公司决定在A14制程技术上不采用High-NA EUV光刻技术，而是继续沿用现有的EUV光刻设备。台积电对此充满信心，认为即便不引入High-NA EUV技术，A14制程也能在性能、密度及良品率等关键指标上达到预期目标。
据悉，A14制程被视为台积电下一代半导体技术的里程碑，它定位于1.4nm级别，远超当前已大规模应用的3nm工艺及即将面世的2nm工艺。台积电提供的数据显示，与即将商用的2nm（N2）工艺相比，A14制程在保持相同功耗的情况下，能提供高达15%的速度增益；或者在保持相同速度的前提下，功耗降低30%，同时逻辑密度提升超过20%。
根据台积电的规划蓝图，A14制程预计将于2028年正式投入生产。台积电还规划了A14的多个衍生版本，包括A14P、A14X和A14C等，以满足不同市场和客户的需求。
